Hyt1n Kyu⒗m等的研究ul]是通過濕法腐蝕和選取外延生長改變了芯片的形狀提高出光功率。 FM24C04A-G其制作過程如圖5-29所示,首先用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma EnhanccdChemicd Vapor Dcposition,PECVD)在藍寶石襯底上沉積1000A的Sio,然后用傳統的光刻、蝕刻方式做出周期性分布的sio2六方柱,然后再此襯底上外延生長GaN基LED結構,外延生長完畢后,在外延片上再用PECVD法沉積3000A的s⒑2作為濕法蝕刻GaN的掩膜,再用2⒛℃的H2S04和HlPo4混合溶液(H2s04∶燉Po4=3∶1)進行濕法蝕刻,再用緩沖腐蝕液(btIffcr Oxidc etch,BOE)去除掩膜用的Sio,最后按照傳統的工序完成芯片制作,得到具有內切側壁空洞結構(overcut Sidcho1c血∝ture,Os)(以下簡稱oS結構)的LED器件,如圖5-30所示,芯片尺寸是315um×315um。