針對第三、第四條不利因素,有研究FM24CL04B-G者u剮提出用兩次傾斜沉積ITo的方式解決納米柱LED之間電性連接問題,用此方式可以不對各個納米柱之間進行填充,而直接將ITO彎轉后連成一體實現統一電位,此方法提供了解決問題的途徑,但迄今為止未見任何廠家應用此技術。sameer Chh茍cd等人l。ql用傾斜角度沉積法制備了自組織納米圖形提高光提取效率的InGaN LED。這種方法通過不同角度傾斜沉積的方式提供了一種尺寸、圖形密度可控的制備納米圖形的方法。用傾斜沉積的方式沉積5nm的Ag膜,RTA退火后自發的形成納米島狀。這種方法用于制備⒉C・aN的納米級紋理化結構,可以增加光的提取效率。10OmA下,納米紋理化的LED比平面LED的光功率高46%。此方法最大的創新是用不同角度傾斜沉積獲得尺寸、圖形密度可控的納米圖形。如圖5-38是用此方法制備的不同尺寸Ag納米島狀結構sEM圖。即用此方法可以克服上述第四條中不能控制納米柱尺寸和均勻性的不利因素。