(1)經過外延生長后的外延片首先要進行適當的清洗,如用丙酮、無水乙醇各煮沸兩遍, BAF04-24153-0502無水乙醇超聲清洗一遍,然后用大量去離子水沖洗,氮氣吹干或甩干,以排除其對后道工序的影響;

   (2)蒸發透明導電電極材料ITo,要求滿足3〃4刀的厚度要求,材料要致密性、黏附性、均勻性好;蒸發后要檢測ITo的方塊電阻和對應發射波長的透射率,進行高溫退火處理,處理后再檢測ITo的方塊電阻和對應發射波長的透射率;

   (3)采用剝離工藝專用光刻膠光刻P電極;蒸鍍或濺射P金屬電極,電極材料如果直接與p型GaAs形成歐姆接觸,有用AuznAu材料,與GaP接觸用AWAuBc/Au/Ti/Al材料的,如果與ITo形成歐姆接觸可以用AuGcNi/Atl材料或△/Al,金屬材料的厚度1~3um, 根據不同功率和不同用途的器件從成本和性能考慮,金屬蒸鍍后采用超聲剝離工藝形成P電極。

   (4)低端小功率產品下一步就開始背面減薄了,中功率或大功率器件一般要進行鈍化,因此要增加一步生長S⒑2鈍化層,sio2要求致密性、黏附性、均勻性好,厚度一般大于300nm,二次光刻電極引線孔,腐蝕孔內sio2后露出P電極壓焊點。