對于正裝LED,GaAs襯底導電,AlGaInP LED為垂直結構,適當增大窗口層的厚度來提高電流擴展分布的均勻性是必要的,但考慮工藝條件和成本,其厚度不能很厚。BTB001M240因此人們想到通過改進P型電極的形狀來提高光提取效率。優化電極形狀與其他提高光提取效率的方法兼容,具有操作簡單,實施容易的特點;在成本不變的情況下可以降低LED電壓, 提高亮度。經常使用到的小功率AlGaInP LED電極形狀如圖⒍7所示,在各電極形狀中,壓焊點的大小是一定的。要減小電極面積,則需要減小壓焊點以外各條形的寬度。在有ITO擴展層的器件中,壓焊點在滿足壓焊操作工藝前提下面積越小越好。張俊兵等人用有限元分析法模擬了各種電極形狀的電流分布,優化了電極形狀。對于⒛um厚的GaP作為電流擴展層的AlC・aInP LED,電極寬度為6,22um的萬字形電極是圓形電極出光效率的2“倍。