由于三極管型場發射顯示器陰陽極間距極小,主要難度集中在隔離柱材料以及封裝工藝。

   (1)對隔離柱材料而言:通常厚度為幾十微米到9O0微米的隔離柱,需要有足夠的強度和剛度;AD5304ACPZ-REEL7需要良好的絕緣性能,不漏電;需要極低的放氣率;不能影響顯示質量和顯示精度。

    (2)對封裝工藝而言:需要在極小的空間實現并保持高真空;需要保證陰陽極板在器件內外氣壓差作用下不變形;需要保證陰陽極圖形的精確對準。

    FED發展的方向

   (1)大畫面顯示板。

   (2)中等尺寸的高亮度、高清晰度顯示板,用于電視、游戲跑高性能自發光顯示板。

   (3)與大規模硅集成電路結合的小型、多功能顯示器。

   MOSFET構造的發射體可用與大規模硅集成電路相近的制造工藝,將各種電路或傳感器集成在同一芯片上。圖4-12展示了這一概念。可以期待,以這種高性能自發光的顯示器為核心,將構成下一代便攜式及佩帶式信`氪設備平臺。