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發布時間:2016/10/21 18:47:19 訪問次數:894

    能帶理論模型如圖8-7所示,相對晶體固體的能帶模型來說:

   在多原子分子中,由各原OPA124UA子軌道按一定規律線性組合形成分子軌道時,會形成成鍵軌道和反鍵軌道。多個成鍵軌道或反鍵軌道之間交疊、簡并而形成電子能帶。其中,成鍵軌道中最高被占據分子軌道(Ⅲghe呲Occuued Mdecular Orbits)乘坐HoM0,反鍵軌道中最低未被占據分子軌道(Lowe哎Un【,ccu∮ed Mdecular Orbits)稱作LUM0。相應地,可以把有機半導體中的成鍵軌道看作是無機半導體的價帶,反鍵軌道看作是導帶,將分子的LUM0對應于導帶底,H0M0能級對應于價帶頂。這樣就可以將電子和空穴在各層之間的運動看作是在能帶間穿越一定勢壘的運動。因此,一般情況下可借助半導體物理學的能帶理論來處理涉及有機半導體的光學和電學行為問題。帶隙Eg是H0M0與LUMo之間的寬度,離化能;幾是真空能級與HoM0之間的能量差;電子親和勢εa是真空能級與LUMo之間的能量差。三層結構0LED的能帶圖如圖8-8所示。


     

    能帶理論模型如圖8-7所示,相對晶體固體的能帶模型來說:

   在多原子分子中,由各原OPA124UA子軌道按一定規律線性組合形成分子軌道時,會形成成鍵軌道和反鍵軌道。多個成鍵軌道或反鍵軌道之間交疊、簡并而形成電子能帶。其中,成鍵軌道中最高被占據分子軌道(Ⅲghe呲Occuued Mdecular Orbits)乘坐HoM0,反鍵軌道中最低未被占據分子軌道(Lowe哎Un【,ccu∮ed Mdecular Orbits)稱作LUM0。相應地,可以把有機半導體中的成鍵軌道看作是無機半導體的價帶,反鍵軌道看作是導帶,將分子的LUM0對應于導帶底,H0M0能級對應于價帶頂。這樣就可以將電子和空穴在各層之間的運動看作是在能帶間穿越一定勢壘的運動。因此,一般情況下可借助半導體物理學的能帶理論來處理涉及有機半導體的光學和電學行為問題。帶隙Eg是H0M0與LUMo之間的寬度,離化能;幾是真空能級與HoM0之間的能量差;電子親和勢εa是真空能級與LUMo之間的能量差。三層結構0LED的能帶圖如圖8-8所示。


     

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