隨著異質結構研究的深入和外延生長技術的進步,量子阱結構被開發并應用于半導體發光器件。M25P20-VMN6TPB量子阱結構可以看作雙異質結構中較窄禁帶中間層材料薄化的延伸和發展。用兩種禁帶寬度不同的兩種半導體材料A和B,構成兩個距離很近的背靠背的異質結,ⅣB/A,若材料A的禁帶寬度大于B,且材料A和B形成~pcI型異質結,則當材料B的厚度薄到可與電子的德布羅意波長相比,則形成以材料A為勢壘,B為勢阱的量子阱結構。

   這種只有一個勢阱的結構稱為單量子阱[1劍。

   如圖3-34(a)所示阝),在實際的量子阱結構中,載流子被限制在有限深的勢阱中,在垂直于界面方向上(設為z方向)運動的能量不再是連續的,而是變成了分立的能級(電子占據能級為幾0和馬1等,空穴占據能級為E四和凡1等),而在平行界面的方向(設為光y方向)上載流子運動是自由的,能量仍是連續變化的。勢阱寬度越窄,勢壘高(Mc和Azrv)越高,能級分立間距越大。另外,載流子有效質量越小,能級分立間距越大。由于電子的有效質量總比空穴小,所以量子阱中電子能級分立間距大于空穴能級分立間距。