分別畫出面心立方晶格和體心立方晶格
發布時間:2016/11/1 20:45:08 訪問次數:6433
1.分別畫出面心立方晶格和體心立方晶格(100),(110),(111)晶面上原子排列示意圖。
2,什么是直接帶隙?什么是間接帶隙半導體?并說明M25P64-VME6TG為什么發光器件一般不用si材料制作。
3,室溫條件,GaAs突變pn結的受主和施主雜質濃度分別為蠅=8×1017cmˉ3不口凡=5×1016呷尸,假設雜質完全電離,求解pn結在平衡態下的內建電場、勢壘高度和耗盡層寬度。(室溫下,GaAs禁帶寬度幾=1,緄Cv,本征載流子濃度刀i=2。l×106cmˉ3)
4,計算h02Ga0:N/GaN異質結構在c面的晶格失配大小和懸鍵密度。
5對于In02Ga0:N/GaN雙異質結構,勢阱中電子濃度為5×101:cm3。室溫下,不考慮GaN材料的極化效應,計算此結構通過電流時,電子越過勢壘泄漏的比例。(己知:%(IllxGahN”幾(hN》(1ˉ)幾(GaN)細b=l.43;室溫下,GaN和InN的禁帶寬度分別為3釓V和0。刀cV,In02Ga0:N/G瘀的導帶不連續M‘=065明g)
參者資料
[1] 趙品,謝輔洲,孫振國,材料科學基礎教程(第3版),哈爾濱:哈爾濱工業大學出版社,2009
[2] 孟慶巨,胡云峰,敬守勇 半導體物理學簡明教程,北京:電子工業出版社,⒛14.
l3] 馬品生,施倪承X射線晶體學一一晶體結構分析基本理論及實驗技術武漢:中國地質大學出版社,
1.分別畫出面心立方晶格和體心立方晶格(100),(110),(111)晶面上原子排列示意圖。
2,什么是直接帶隙?什么是間接帶隙半導體?并說明M25P64-VME6TG為什么發光器件一般不用si材料制作。
3,室溫條件,GaAs突變pn結的受主和施主雜質濃度分別為蠅=8×1017cmˉ3不口凡=5×1016呷尸,假設雜質完全電離,求解pn結在平衡態下的內建電場、勢壘高度和耗盡層寬度。(室溫下,GaAs禁帶寬度幾=1,緄Cv,本征載流子濃度刀i=2。l×106cmˉ3)
4,計算h02Ga0:N/GaN異質結構在c面的晶格失配大小和懸鍵密度。
5對于In02Ga0:N/GaN雙異質結構,勢阱中電子濃度為5×101:cm3。室溫下,不考慮GaN材料的極化效應,計算此結構通過電流時,電子越過勢壘泄漏的比例。(己知:%(IllxGahN”幾(hN》(1ˉ)幾(GaN)細b=l.43;室溫下,GaN和InN的禁帶寬度分別為3釓V和0。刀cV,In02Ga0:N/G瘀的導帶不連續M‘=065明g)
參者資料
[1] 趙品,謝輔洲,孫振國,材料科學基礎教程(第3版),哈爾濱:哈爾濱工業大學出版社,2009
[2] 孟慶巨,胡云峰,敬守勇 半導體物理學簡明教程,北京:電子工業出版社,⒛14.
l3] 馬品生,施倪承X射線晶體學一一晶體結構分析基本理論及實驗技術武漢:中國地質大學出版社,
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公網安備44030402000607
