以GaAs外延薄膜生長為例,As的來源通常有兩種方式:①采用固體砷升華產生四聚化物A跏分子;②采用兩溫區源爐,H9TQ18ABJTMCUR-KTM在高溫段使得A跏裂解為二聚物A勸分子;或者是以GaAs為源材料在高溫下分解產生A助分子。在二聚物分子(As2)被噴射到GaAs襯底表面時,A劫首先被襯底表面物理吸附,形成一種可遷移的弱鍵合前驅體狀態。A助分子在表面遷移時,只有遇到一對Ga原子時,A”分子才會分解成兩個As原子,并分別與兩個Ga原子結合成GaAs分子,形成固態晶格。當襯底表面沒有或缺少Ga原了時,前驅體A助分子不會分解,它們可能在表面滯留一段時間(壽命<1Cl5s)后脫附離開襯底表面,也可能兩個A助分子結合形成As4分子后從表面脫附。

   MBE技術也同樣用于GaN外延薄膜的生長。鎵、鋁或銦分子束通過在真空中加熱和蒸發其相應的金屬而形成,而氮分子束則有不同的形成方式。直接采用氨氣為氮源的分子束被稱為氣源分子束外延,采用氮氣等離子體作為氮源的有射頻等離子體輔助分子束外延和電子回旋共振等離子輔助分子束外延。MBE系統中常采用四極質譜儀來檢測本底的氣氛組成,用離子槍進行襯底表面的清潔。并能夠采用多種測試技術(如反射高能電子衍射-RHEED等)對外延生長過程進行原位檢測。