碳化硅也是作為GaN基外延片襯底的重要材料,用于外JANTX1N4963延生長GaN的碳化硅(6H-SC)具有類似纖鋅礦的六方晶體結構,其禁帶寬度為3.05cV。sC襯底與藍寶石襯底相比,其化學穩定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見光。sC襯底與GaN的晶格失配僅為3.5%,遠小于藍寶石與GaN晶體之間的晶格失配(16%)。室溫下,6H-SiC的熱導率高達⒆0Wlm IK1,其導熱性能遠優于藍寶石材料。SC襯底優異的導電性能和導熱性能,使其不需要像寶石襯底上大功率GaN LED器件采用倒裝焊技術解決散熱問題,而是采用上下

電極結構,可以比較好地解決散熱問題。此外,6H-SiC具有藍色發光特性,作為低阻材料可以制作電極。在SC襯底市場方面,美國Crce公司壟斷了優質SC襯底的供應。⒛凹年起,該公司在市場上供應2~3英寸基本L無微管的襯底。日前2英寸的4H和6H SC單晶與外延片,以及3英寸的4H SC單晶已有商品出售;以SiC為G瘀基材料襯底的藍綠光LED業己上市。然而,6H-SiC的層狀結構在易于解理從而簡化器件結構的同時,也常給外延薄膜引入大量的臺階缺陷。另外,Sr材料昂貴的價格限制了它在市場中的應用。