目前商業化的GaN基外延片采用的是兩步生長工藝。外延片生長工藝復雜,一個簡JANTX1N755AUR-1單的GaN藍光LED量子阱結構的生長工藝包括高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、n型GaN層生長、量子阱發光層生長及p型GaN層生長。詳細工藝流程如下:

   (1)高溫烘烤,藍寶石襯底首先在氫氣氣氛中被加熱至1050℃,目的是清潔襯底表面;

   (2)襯底溫度降至510℃,在藍寶石襯底表面沉積30nm厚度的低溫GaN/AlN緩沖層;

   (3)升溫至10⒛℃,通入反應氣氨氣、三甲基鎵和硅烷,各自控制相應的流速,生長4um厚度的硅摻雜n型GaN;

   (4)通入三甲基鋁和三甲基鎵反應氣,制備厚度為0.15um的硅摻雜n型A⒑洲;

   (5)溫度降至8O0℃,通入三甲基鎵、三甲基銦、二乙基鋅和氨氣并各自控制不同的流速制備50nm的zn摻雜InGaN;

   (6)溫度升高至1020℃,通入三甲基鋁、三甲基鎵和雙(環戊二烯基)鎂,制備0.15um厚度的Mg摻雜p型AlGaN和0.5um厚度的Mg摻雜p型G瘀;

   (7)700℃氮氣氣氛中退火處理獲得高質量p型GaN夕卜延薄膜;

   (8)在p型G瘀表面進行刻蝕露出n型G瘀表面;

   (9)分別在p-GaNI表面蒸鍍Ni/Au觸片,ll-GaN表面蒸鍍△/Al觸片形成電極。