薄膜倒裝芯片(TFFC,Thin Fi1m FⅡ Chip)結合了垂直薄膜和倒裝芯片的結構特點,首先利用激光剝離技術去除藍寶石襯底,然后將其倒裝焊接在高熱傳導的襯底上,K4B2G1646E-BCK0 與垂直薄膜相似,薄膜倒裝芯片在藍寶石襯底剝離后,能夠在裸露的n型GaN層出光表面用光刻技術做表面粗化以提高光提取效率。而倒裝焊接的結構減少了金屬引線鍵合工藝,縮短了有源層到出光面的距離,在減少封裝體積的同時也增加了出光效率。因此,與傳統的倒裝芯片和垂直薄膜LED芯片相比較,TFFC具有更高的亮度和更大的光輸出效率,其表面的向上光輸出能達到約100%。

   薄膜倒裝芯片技術可以實現最大化發光和最小化熱阻,從而產生更高的亮度,更適用于高功率半導體照明領域。目前高功率TFFC藍光LED(波長約為矽5nm)在3501uA驅動電流時的外量子效率高達約56%,在更低驅動電流時可達約Ω%。該藍光LED在1A驅 光發射 動電流時能夠實現超過1.3W功率的光學照明。TFFC綠光LED(波長約為520nm)在3501nA驅動電流時的外量子效率約為29%,在低電流MQW發光層 時外量子效率約為36%,由其制備的LED光源反光p極觸片 實現的最高光效可達約1621猁η廠。在驅動電流反光p極   為1A時,TFFC綠光LED的光通量能夠達到約4叨mW(約2221m),這是己知的綠光LED所能獲得的最佳結果。