圖形化藍寶石襯底的制備工藝主要有℃P干法刻蝕和濕法化學刻蝕工藝。ICP干法刻蝕:先在藍寶石襯底上沉積一層sio或光刻膠掩膜; G1PM109NLF然后利用標準光刻工藝在掩膜上制作光刻圖形;最后利用高能等離子體刻蝕藍寶石襯底表面,在去除掩膜后可得到相應的圖形化襯底。

   濕法化學刻蝕:利用光刻技術首先在藍寶石襯底表面用光刻膠制作出所需圖形;然后采用等離子體氣相沉積法(PECVD)沉積Sio2:最后用Sio2作為蝕刻掩膜層,在280℃下以磷酸和硫酸的混合溶液高溫蝕刻藍寶石襯底從而在表面形成圖形化。

   藍寶石襯底的圖形化制備經歷了從最早由si02或siNx直接作為圖形襯底,到微米尺寸的柱形圖形化、半球形圖形化、V形圖形化和圓錐形圖形化,現在正在向納米尺寸圖形化發展。目前廣泛應用于工業化生產的是微米量級圖形化藍寶石襯底,納米級圖形化藍寶石襯底還主要處在實驗室研究階段。