表面粗化技術是直接在LED芯片的出光面制作周期性表面微結構,以改變入射光角度,提高芯片的光提取效率。G2PM109NLF按照芯片結構的不同,常規的正裝芯片通常在p型G瘀層或1TO透明電極層制作周期性圖形(見圖5-41);而倒裝結構芯片由于出光面為襯底藍寶石, 則在藍寶石表面進行圖形化。表面粗化技術在LED出光面制作微結構的工藝與藍寶石襯底圖形化I藝相同,主要是濕法刻蝕和ICP干法刻蝕。除使用光刻膠作為掩膜的傳統光刻技術外,納米壓印、金屬自組裝 等技術也應用于表面粗化過程,并在出光面形成二維光子晶體結構。

    T.S⒗m等人以直徑為300nm的聚苯乙烯球形成的單層自組裝膜為掩膜,通過℃P亥刂蝕在p-GaN表面孔洞結構(見圖5-42(a)),然后其上制作ITo透明電極并形成柱形圖案化結構(見圖5-42(b)~(d))。實驗結果表明,以表面孔洞結構的p-GaN和柱形ITO透明電極制作的LED芯片,其在⒛mA驅動電流下的輸出功率相比普通結構的LED芯片能夠分別提高⒛%和10%。這主要歸因于p-GaN層周期性孔洞表面結構和ITo透明電極柱形結構能夠使得更多的全內反射光從界面射出,提高了芯片的光提取效率。