常用測量方法主要有熱電偶法、電學參數法、紅外熱成像法三類。熱電偶KHU1S041Q4LF法是用單個熱電偶逐點或用多路熱電偶同時采集單點或多點溫度的方法。雖然熱電偶的測溫結點尺寸較小,便于將其固定在需要測溫的位置,但由于測溫點數量有限,僅能獲得散熱體表面的局部點位的溫度,表現出的溫度分布的狀態信息不夠全面。電學參數法是一種應用較為廣泛的測量LED芯片結溫的方法,該方法測得的溫度值是由結電壓對應推算出芯片處的平均溫度,一般用來判斷不同排布位置的芯片結溫,但無法測量其他結構的溫度分布性。紅外熱成像法是利用紅外探測器和光學成像物鏡接收被測目標的紅外輻射能量分布圖形,并反映到紅外探測器的光敏元件上,從而獲得不同顏色代表不同溫度的紅外熱成像圖。熱像圖與物體表面的溫度分布場相對應,具有非接觸、無結構損傷、測量精度和自動化程度較高等特點,日益受到人們的重視,其應用領域也越來越廣泛。但紅外熱成像法需要昂貴的測試儀器,且對于不同材質的結構表面以及相同材質的不同表面,發射率均會表現出較大的數值差距,因此要獲得準確的溫度分布值,還需要同時采用熱電偶測量出同種表面上的局部溫度,用來校準紅外熱成像測量儀器的發射率。