由于G瘀基發光二極管成功地實現商業化生產,G岔N基發光二極管在各個領域得到了廣泛的應用。K4D261638F-LC40相對先前廣泛使用的發光二極管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaInP材料的生長在晶格匹配的導電襯底上的發光二極管,大多數GaN基LED生長在晶格不匹配的異質絕緣襯底(如藍寶石)上。因此,GaN基LED由于襯底原因衍生出一系列獨有的問題,如晶格不匹配,高密度的位錯,側向電流擴展,熱力性質不匹配等。尤其是在低濕度的環境下,由于襯底是絕緣體,處理過程中產生的靜電電荷很容易長時間蓄積起來。當這些蓄積的靜電電荷釋放的時候,產生的靜電放電會損壞器件的性能甚至完全毀掉器件。因此,GaN基LED相較于其他類似器件對靜電更敏感。在實際生產中,據美國國家標準學會(American National Standards Institutc,AN⒌)對半導體產業的調查顯示,靜電放電(EsD)損傷導致的平均產品損失在8%~33%。實際的生產線上,⒍N基LED出片數的5%存在ESD性能不達標而作廢,同時發光波長過大和光功率過小的性能異常幾乎均伴隨有抗靜電性能不達標的現象,也就說是LED芯片大多數性能異常均伴隨EsD性能不達標的現象。因此對如何提高G瘀基LED的ESD性能的研究非常有必要。不僅能降低ESD性能不達標導致的廢品率,還能對其他性能缺陷的產生原因的發現提供有用的線索。