靜電放電引起發光二極管PN結的擊穿,是LED器件封裝和應用組裝工業中靜電危害的主要方式。K4D261638I-LC40靜電放電對LED的危害非常大,造成8%~33%的良率損失,而且其損傷不是直接表現出來,使得對EsD損傷很難防護。靜電損傷具有如下特點。

   (1)隱蔽性:人體不能直接感知靜電,即使發生靜電放電,人體也不一定能有電擊的感覺,這是因為人體感知的靜電放電電壓為2~3kV。大多數情況都是通過測試或者實際應用,才能發現LED器件已受靜電損傷。

   (2)潛伏性:靜電放電可能造成LED突發性失效或潛在性失效。突發性失效造成LED的永久性失效:短路。潛在性失效則可使LED的性能參數劣化,例如漏電流加大,一般GaN基LED受到靜電損傷后所形成的隱患并無任何方法可治愈。

   (3)隨機性:從LED芯片生產后一直到它損壞以前所有的過程都受到靜電的威脅,而這些靜電的產生也具有隨機性。但是由于芯片的尺寸極小,約0.2mm×0.2mm,電極之間的距離就更小,如果處在靜電場屮,兩極之間的電勢差別接近于零;電極的微小面積,局限了接觸靜電放電的狀態。因此,芯片受到靜電損傷的概率比器件要小得多。

   (4)復雜性:在靜電放電的情況下,起放電電源是空間電荷,因而它所儲存的能量是有限的,不像外加電源那樣具有持續放電的能力,故它僅能提供短暫發生的局部擊穿能量。雖然靜電放電的能量較小,但其放電波形很復雜,控制起來也比較麻煩。另外,LED極為精細,失效分析難度大,使人容易誤把靜電損傷失效當作其他失效,在對靜電放電損害未充分認識之前,常常歸咎于早期失效或情況不明的失效,從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因。

   (5)嚴重性:EsD潛在性失效只引起部分參數劣變,如果不超過合格范圍,就意味著被損傷的LED可能毫無察覺地通過最后測試,導致出商來說,其結果是最損聲譽的。