功率半導體器件通常要求功率損失盡量小且在實際應用中不被擊穿,器件的I作溫度對此影響很大c當工作溫度迅速上升時,傳統的IPM可被擊穿,這種擊穿發生是因為提供溫度保護的溫控器安裝在IGBT芯片的絕緣基板上, PBSS4350SPN由寄生電容或控制電路的寄生電感產生的噪聲有時會使⒑BT產生誤動作。控制電路產生的這種寄生電容和寄生電感是因為控制電路是由很多電子組件組成的,因此必須設法解決這些額外電子組件產生的寄生電容和寄生電感問題;更多的電子組件使寄生電容和寄生電感增大,因此噪聲越來越高。傳統IPM使用了大量分立元器件,使得控制電路難以實現小型化和低成本。R系列IPM正是為解決這些問題而開發的。

   R系列IPM的主要特點

   R系列IPM具有以下特點。

    (1)低功耗,軟開關,使用第三代⒑BT芯片。

   (2)⒑BT能用到結溫的最大值而不會擊穿。由于其通過直接檢測IGBT的結溫來提供溫度保護,所以能夠選擇一個等級更合適的IPM模塊以降低成本。

   (3)R系列IPM使用的組件比傳統IPM少得多(僅有傳統IPM的5%)。因為控制電路被集成到獨立的IC中,所以R系列IPM堅固、可靠性極好、性能價格比高。

   (4)R系列IPM噪聲的極值不足以使IGBT產生誤動作,這是因為IPM中優化了控制電路的設計。

   (5)R系列IPM對異常的工作環境比傳統JPM反應更迅速,如過流翻過熱等。

   (6)R系列IPM能提供精確的半導體器仵工作數據,這些數據在主回路設計中是必需的,這些特點將對防止組件擊穿和降低系統成本有很大的參考價值。

   與過去IGBT模塊和驅動電路的組合電路相比,R系列IPM內含驅動電路且保護功能齊全,因而極大地提高了應用系統整機的可靠性。