晶閘管中頻電源的零部件及配套件,如散熱器、熔斷器、電抗器、控制板,G5240B2T1U已標準化、系列化、批量生產化,給晶閘管中頻電源的制造商及維護人員帶來了極大的方便。

   MOsFET和IGBT等全控型功率半導體器件的容量已日益擴大,與⒑BT及MOS-FET配套的驅動器和保護電路已系列化和標準化,給中頻和超音頻中頻電源的設計、制造奠定了技術基礎。以IGBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,其單機容量在⒛0kW以內,置作頻率范圍基本上都為⒛~⒛0kHz,超過⒛kHz的中頻電源基本上都是采用M0⒊FET。但目前MOSFET的額定參數限制了中頻電源功率的提升,雖然可采用直接將MOsFET并聯,或將MOSFET構成逆變橋,再多個逆變橋并聯的方案,但卻使主電路和控制電路復雜,可靠性下降。為此采用ICBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,仍是需要進一步研發的課題。

   國內單機容量在500kW以上的中頻電源的功率器件基本上是晶閘管電源,但I作頻率最高不超過8kHz,容量最大已達硐00kW。單機容量達ω00kW的晶閘管中頻電源正在開發中。從電路的角度來考慮中頻電源的大容量化,可將大容量化技術分為兩大類:一類是器件的串、并聯;另一類是多橋或多臺電源的串、并聯。在器件的串、并聯方式中,必須認真處理串聯器件的均壓問題和并聯器件的均流問題,由于器件制造工藝和參數的離散性,限制了器件的串、并聯數目,且串、并聯數越多,裝置的可靠性越差。多臺電源的串、并聯技術是在器件串、并聯技術基礎上進一步再容量化的有效手段,借于可靠的電源串、并聯技術,在單機容量適當的情況下,可簡單地通過串、并聯運行方式得到大容量裝置,每臺單機只是裝置的一個單元(或一個模塊)。