作為刻蝕阻擋物，光刻膠BCM5690A1KEB層必須和晶圓表面層黏結得很好，才能夠忠實地把光刻膠層的圖形轉移到晶圓表面層。缺乏黏附性將導致圖形畸變。在半導體生產過程中，對于不同的表面，光刻膠的黏結能力是不同的。在光刻膠工藝中，有很多步驟是特意為了增加光刻膠對晶圓表面的自然黏結能力而設計的。負膠通常比正膠有更強的黏結能力。

   光刻膠的曝光速度、敏感度和曝光光源：光刻膠對光或者射線主要的反應就是結構卜^的變化。一個主要的工藝參數就是反應發生的速度。反應速度越快，在光刻和刻蝕區域晶圓的加工速度就越快。

   光刻膠的敏感度是與導致聚合或者光致溶解發生所需要的能量總和相關的。另外，這種與敏感度相關的能量又是和曝光源特定的波長有聯系酌。對這種屬性的理解需要對電磁光譜的性質非常熟悉。通過這些性質，我們確定r一些不同類型的能量：可見光、長的和短的無線電波，X射線，等等。實際上它們都是電磁能量（或輻射），并且根據它們波長的不同而被區分開來，波長越短的射線能量越高。

   普通的正膠和負膠會對光譜中紫外線( UV)和深紫外線(DUV)的部分有反應。一些光刻膠是被設計成對某一特定范圍內的波長波峰有反應的。一些光刻膠被設計成對X射線或電子束( e-beam)有反應。由于其能量高、波段窄，產業界已經轉向激光。