于氧氧化的缺點是氫氣的易爆炸性。在達到氧化溫度時，氫氣非常容易爆炸。可以用IPW50R199CP一些保護措施來減少潛在的爆炸可能性。例如把進入爐管的氧氣和氫氣管分開，并流入過量的氧氣。過量的氧氣可以保證每個氫分子(H：)和氧原子形成不爆炸的水分子(H：O)。其他的防護措施還有氫氣報警，以及在氣體柜和清除機之間安裝熱燈絲，它可以在爆炸發生前就燃燒掉跑出的多余氫氣。

   摻氯氧化：更薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層。當在氧中加入氯時，器件的性能和潔凈度就會得到改善。，氯可以減少氧化層里的移動離子電荷，減少硅表面及氧化層的結構缺陷，減少氧化膜和硅界面的電荷。氯來自干氧氣流中氯氣( Cl：)、氯化氫(HCl)、三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)。對于氣態源，氯、氯化氫以及氧氣由不同氣體流量計控制進入爐管。對于液態源，像三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)，從液態發泡器中以氣態形式進入爐管。從安全和方便的角度來講，氯仿( TCA)是比較好的氯源。摻氯氧化循環可以在一步反應里完成，也可以在于氧前或干氧后進行。

   氧化后，通常借助于紫外(UV)燈進行一個快速的表面檢查。這些高強度的光源可以使操作者看見肉眼看不到的小穎粒和瑕疵。有時還要進行顯微鏡的表面檢查。

   自動晶圓裝載：一旦晶圓進化到200 mm直徑以后，裝卸晶圓對于水平式爐管操作員變成了一個挑戰。一批水平式石英晶圓承載架很重，甚至對于機器手裝載進水平式爐管也是笨拙和低效率。裝卸單個晶圓進出垂直式疊放爐就容易多了。拿取一放置式機械，有時也稱機械手( robot)從晶圓片架(cassette)取出一片晶圓，然后把它放入一個爐用石英舟里。對于晶圓裝舟系統，難點在于把測試片、生產片和“假片”正轉移管確地放到石英舟里（假片通常是放在頂部和底部）。這些晶圓必須從不同的石英舟中取出。

   手動裝載晶圓：晶圓被放在聚四氟乙烯( Teflon)或其派生物制成的承載器[也稱“舟”(bc，at)或“片架”(c：assette)]中進行清洗步驟，然后被轉移到石英或碳化硅的承載器中進行反應爐反應。

   對于這些傳遞較小晶圓的操作是用真空吸筆或有限度加緊的鑷子（見圖7. 29）。盡管通常避免使用鑷子，還是有為大直徑晶圓設計的鑷子。