光刻膠被應用在印刷工業上已經超過一個世紀了。在20世紀20年代，人們才AD8042AR-REEL發現它在印制電路板領域可以有廣泛的應用。半導體工業采納這種技術來生產晶圓是在20世紀50年代。在20世紀50年代末，Eastman Kodak和Shipley公司分別設計出適合半導體T業需要的正膠和負膠。

   光刻膠是光刻工藝的核心。準備、烘焙、曝光、刻蝕和去除工藝會根據特定的光刻膠性質和想達到的預期結果而進行微調。光刻膠的選擇和光刻膠工藝的研發是一項非常漫長而復雜的過程。一旦一種光刻工藝被建立，是極少改變的。

   光刻膠的生產既是為了普通的需求，也是為了特定的需求。它們會根據不同光的波長和不同的曝光源而進行調試。光刻膠具有特定的熱流動性特點，用特定的方法配制而成，與特定的表面結合，．這些屬性是由光刻膠里不同化學成分的類型、數量以及混合過程來決定的。在光刻膠瞿有4種基本的成分（見圖8. 10）：聚合物、溶劑、感光劑和添加劑（見第10章）。

   光敏性和對能量敏感的聚合物：對光刻膠光敏性有影響的成分是一些對光和能量敏感的特殊聚合物。聚合物是由一組大而重的分子組成的，這些分子包括碳、氫和氧。塑料就是一種典型的聚合物。

   光刻膠被設計成與紫外線和激光反應，稱為光學光刻膠( optical resist)。還有其他光刻膠可以與X射線或者電子束反應。在一種負膠中，聚合物曝光后會由非聚合狀態變為聚合狀態~，實際上這些聚合物形成了一種相互交聯的物質，它是抗刻蝕的物質（見圖8. 11）。當光刻膠被加熱或正常光照射也會發生聚合反應。為了防止意外曝光，負膠的生產是在黃光的條件下進行的。