(1)普通型達林頓晶體管的檢測

   普通型達林頓晶體管性能質量的檢測方M29W160ET70N6法與普通晶體管的檢測方法基本一致:即首先準萬用表置于R×10k擋位。

   ①若管型為PNP時,測量基極與發射極之間的正、反向電阻值,正向電阻值通常為5~30kΩ,反向電阻值為∞;壩刂量基極與集電極之問的正、反向電阻值,正向電阻值通常為10kΩ,反向電阻值為∞;測量集電極與發射極之間的電阻值,通常該阻值應接近于∞。

   上述測量過程中,若基極與發射極之間、基極與集電極之間的正、反向電阻或集電極與發射極之間的電阻測量值為0或接近于0,則表明該達林頓晶體管已經被擊穿損壞;若基極與發射極之間、基極與集電極之間的正向電阻值為∞,則表明該達林頓晶體管已存在開路故障。

   ②管型為NPN時,將紅、黑表筆對調,重復上述方法與步驟,即可測出NPN型達林頓管的性能質量。

   (2)大功率達林頓晶體管的檢測

   由圖645可知,這類晶體管在集電極與發射極之間反向接入并附加接人一支過電壓保護二極管(續流二極管),以確保晶體管不被擊穿;在VT1和VT2的發射結上分別并聯電阻l和R2,其作用是為漏電流提高泄放支路。由于達林頓晶體管接人了VD、R1和R2等保護和泄漏電流的元器件,故檢測時應重點考慮上述元器件對測量數據的影響。