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屏蔽罩的屏蔽效能

發布時間:2017/3/12 21:06:22 訪問次數:1032

   可用屏蔽效能(sE)對屏蔽罩的適用性進行評估,其單位是分貝,計算式為

    吸收損耗,單位為dB;


   反射損耗,單位為dB;

   校正因子,單位為dB(適用于薄屏蔽罩內存在多個反射的情況)。

一個簡單的屏蔽罩會使所產生的AT49BV1614T-90TC電磁場強度降至最初的1/10,即SE=⒛dB;而有些場合可能會要求將場強降至最初的十萬分之一,即SE)100dB。吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數量,吸收損耗近場反射損耗的大小取決于電磁波源的性質及屏蔽罩與波源的距離。

   對于桿狀或直線形發射天線而言,此時發射將以電場為主,離波源越近波阻越高,然后隨著與波源距離的增加而下降,當距離超過波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在377Ω處。但平面波阻則無變化(恒為377Ω)。相反,如果波源是一個小型線圈,則此時發射將以磁場為主,離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加,當距離超波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在貿7Ω處。

   反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化,因此它不僅取決于波的類型,而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設備。




   可用屏蔽效能(sE)對屏蔽罩的適用性進行評估,其單位是分貝,計算式為

    吸收損耗,單位為dB;


   反射損耗,單位為dB;

   校正因子,單位為dB(適用于薄屏蔽罩內存在多個反射的情況)。

一個簡單的屏蔽罩會使所產生的AT49BV1614T-90TC電磁場強度降至最初的1/10,即SE=⒛dB;而有些場合可能會要求將場強降至最初的十萬分之一,即SE)100dB。吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數量,吸收損耗近場反射損耗的大小取決于電磁波源的性質及屏蔽罩與波源的距離。

   對于桿狀或直線形發射天線而言,此時發射將以電場為主,離波源越近波阻越高,然后隨著與波源距離的增加而下降,當距離超過波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在377Ω處。但平面波阻則無變化(恒為377Ω)。相反,如果波源是一個小型線圈,則此時發射將以磁場為主,離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加,當距離超波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在貿7Ω處。

   反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化,因此它不僅取決于波的類型,而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設備。




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