盡管有這么多的優點，砷化鎵也G1117T63UF不會取代硅成為主流的半導體材料。其原因在于性能和制造難度之間的權衡，雖然砷化鎵電路非常快，但是大多數的電子產品不需要那么快的速度。在性能方面，砷化鎵如同鍺一樣沒有天然的氧化物。為廠補償，必須在砷化鎵上淀積多層絕緣體。這樣就會導致更長的工藝時間和更低的產量。而且在砷化鎵中半數的原子是砷，對人類是很危險的。遺憾的是，在正常的工藝溫度下砷會蒸發，這就額外需要抑制層或者加壓的工藝反應室。這些步驟延長了工藝時間，增加了成本。

   藝中容易折斷，而且也導致了大直徑的砷化鎵生產T藝水平比硅落后（見第3章）。

   盡管有這砦問題，砷化鎵仍是一種重要的半導體材料，其應用也將繼續增多，而且在未來對計算機的性能可能有很大影響。

   與砷化鎵有競爭性的材料是鍺化硅( SiGe)。、這樣的結合把晶體管的速度提高到町以應用于超高速的對講機和個人通信設備當中’。器件和集成電路的結構特色是用超高真空／化學氣相沉積法( UHV/CVD)來淀積鍺層。4，、雙極型晶體管就形成在鍺層七，不同于硅技術中所形成的簡單晶體管，鍺化硅需要晶體管具有異質結構( heterostructure)和異質結(heterojum:tion)這些結構有好幾層和特定的摻雜等級，從而允許高頻運行二主要的半導體材料和二氧化硅之間的比較列。