多年來體硅是微芯片制造的傳統襯底。 G12-3630電性能要求新的襯底，例如像在藍寶石這樣的絕緣層t：硅( SOI)，金剛石上硅(SOD)。金剛石比硅散熱更好。另一種結構是淀積在鍺硅晶圓卜的應變硅層。當預先在絕緣屢E淀積的Si/Ge( SOI)層上淀積硅原子，會產生應變硅、，Si/Ge原子之間間距比正常的硅更寬。在淀積過程中，硅原子對著Si/Ge原子“伸長”，沾污硅層，電效應是降低硅的電阻，使得電子運動加快70%。這種結構為MOS晶體管的性能帶來廠益處（見第16章）。

   在對更快和更可靠的存儲器研究中，鐵電體成為一種可行的方案。一個存儲器單元必須用兩種狀態中的一種（開／關、高／低、0/1）存儲信息，能夠快速響應（瀆寫）和可靠地改變狀態。鐵電材料電容如PbZr，一。T。03( PZT)和SrBi，Ta：09( SBT)正好表現出這砦特性。它們并入SiCMOS（見第16章）存儲電路，叫做鐵電隨機存儲器(FeRAM).

   金剛石半導體

   摩爾定律不能無限期地確定未來。一個終點是當晶體管的部分變得如此小，以至于物理控制的晶體管不再工作。另一個限制是散熱。更大和更密的芯片工作時非常熱。遺憾的足，高溫還能降低電性能并能使芯片失效。金剛石是一種晶體材料，其散熱比硅快得多．盡管有這些優點，作為半導體晶圓的金剛石面臨著成本、一致性和尋找大的金剛石貨源的障礙。然而，有使用氣相淀積技術合成金剛石的新的研究。同耐，研究金剛石具有N型和P型電導性使金剛石半導體的可能性變為現實。這種材料正在探討中，或許在未來制造領域能找到用武之地6。