鍺、硅、砷化鎵是微電子產品中使用最多的半導體襯底材料。鍺使用得最早,在微電NCP1406SNT1G子產品剛剛出現時就用其作為半導體器件及最初的小規模集成電路的襯底材料,目前除少量分立器件采用鍺外,在其他產品中已很少看到用鍺作為襯底材料的微電子產品。砷化鎵是當前應用最多的化合物半導體襯底材料,主要作為中低規模集成度的高速電路或超過吉赫茲的模擬電路的襯底材料。硅是微電子產品中應用最廣泛的半導體襯底材料,無論在大功率器件上,還是在大規模、超大規模集成電路,或是其他微電子產品上,都普遍使用硅單晶作為襯底材料。人們對硅的研究最為深人,作為襯底材料――硅單晶片的制備工藝也最為成熟.

   在這一單元,首先介紹硅單晶材料的性質、結構特點,從而使讀者了解硅單晶為何會成為微電子產品中采用最多的襯底材料。然后,介紹單晶硅錠的二種主要拉制方法,即直拉法、磁控直拉法、懸浮區熔法,并介紹硅片的制各及檢測方法。最后,介紹氣相外延硅工藝的原理、方法,以及分子束外延工藝。