氮氣預沖洗的目的是清除反應器中原有氣體,凈化反應器內氣氛;再用氫氣預沖洗,進一步LD1117AS50TR凈化反應器內氣氛;加熱器上電,逐步升溫,使基座和反應器壁上吸附的氣體解吸;通氯化氫氣體排空反應器內解吸的氣體;再用氯化氫氣體腐蝕基座,去除基座及反應器壁面吸附的硅等雜質。氯化氫是腐蝕性很強的氣體,能與硅等反應生成氣態物質。通氫氣沖洗可去除氯化氫等腐蝕性氣體和生成物氣體。降溫至室溫,最后通氮氣沖洗,排空反應器中的氣體。

   經以上工藝步驟對基座及反應器進行了去硅處理之后,再裝人硅基片,進行硅的外延生長。外延生長就是在已準各好的襯底硅片上再進行一系列必要操作之后生長出有一定摻雜濃度的外延層。

典型工藝流程為:N2預沖洗一H2預沖洗→升溫至850℃→升溫至1170℃9Hα排空一Hα拋光→H2沖洗附面層→外延生長一)H2沖洗→降溫9N2沖洗。

   在外延生長工藝流程中,前后幾個下序步驟和基座去硅處理作用相同。而直接和外延生長有關的工序步驟包括:HCl拋光工序,其作用是將硅基片表面殘存的硅氧化物及晶格不完整的硅腐蝕去掉,露出新鮮和有完整晶格的硅表面,有利于硅外延成核,而且使襯底硅和外延層硅之間鍵合良好,避兔襯底硅表面缺陷向外延層中延伸。然后,用H2沖洗附面層以去除拋光工序中氯化氫氣體及其生成物氣體。外延生長工序是外延工藝的核心步驟,通人反應器的外延氣體包含攜源氣體(載氣)、硅源、摻雜氣體、稀釋氣體。