對生長速率有影響的其他因素
發布時間:2017/5/9 21:48:47 訪問次數:1004
對生長速率有影響的其他因素
氣相質量傳遞過程的快慢還和外延反應器結構類型、氣體流速(流量)等因素有關;而表LD1117SC-R面外延過程還和硅襯底晶向有關,硅襯底晶向對外延生長速率也有一定的影響。因此,影響外延生長速率的因素除了外延溫度、硅源種類和反應劑濃度之外,主要還有外延反應器結構類型、氣體流速、襯底晶向等。
襯底晶向對外延生長速率的影響是因為不同晶面硅的共價鍵密度不同,成鍵能力就存在差別。例如,(111)晶面是雙層密排面,兩層雙層密排面之間共價鍵密度低,成鍵能力差,外延層生長速率就慢,而(110)晶面之間的共價鍵密度大,成鍵能力強,外延層生長速率就相對較快。
對生長速率有影響的其他因素
氣相質量傳遞過程的快慢還和外延反應器結構類型、氣體流速(流量)等因素有關;而表LD1117SC-R面外延過程還和硅襯底晶向有關,硅襯底晶向對外延生長速率也有一定的影響。因此,影響外延生長速率的因素除了外延溫度、硅源種類和反應劑濃度之外,主要還有外延反應器結構類型、氣體流速、襯底晶向等。
襯底晶向對外延生長速率的影響是因為不同晶面硅的共價鍵密度不同,成鍵能力就存在差別。例如,(111)晶面是雙層密排面,兩層雙層密排面之間共價鍵密度低,成鍵能力差,外延層生長速率就慢,而(110)晶面之間的共價鍵密度大,成鍵能力強,外延層生長速率就相對較快。
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