因為s02與s的熱膨脹系數不同(Si是2.6×106Kl,SiO2是5×107Kl),因此在結束氧化退出高溫過程后,會產生很大的熱應力,對⒊O2膜來說是來自s的壓應力。 MAX17141ETG+這會造成硅片發生彎曲并產生缺陷。嚴重時,氧化層會產生皸裂,從而使硅片報廢。所以在加熱或冷卻過程中要使硅片受熱均勻,同時,升溫和降溫速率不能太大。

   其他氧化方法

   隨著集成電路特別是超大規模集成電路的發展,橫向和縱向加工尺寸的等比例縮小,要求降低加工溫度和進一步提高熱氧化生長的s02層質量。由此,熱氧化工藝技術也不斷發展,出現了摻氯氧化、高壓氧化等工藝方法。

    摻氯氧化

   摻氯氧化是當前集成電路生產中用來制造高質量潔凈⒊O2膜的常用技術。通過在氧化氣氛中加入一定量的含氯氣體(如Hα、0HC1等),使二氧化硅質量和s―SiC)2系統性能有很大提高。

   摻氯氧化對氧化膜起主要作用的是氯,氯的來源可以是氯源本身或含氯化合物反應產生。所用的氯源有HCl、三氯乙烯(C2Hα3,TCE)、三氯乙烷、二氯甲烷、C1、NH4Cl、CCh等多種,目前國內用得較多的是HCl和TCE。

   HCl的氧化過程,實質上就是在熱生長s02膜的同時,在⒏O2中摻人一定數量的氯離子的過程。實驗表明,所摻入的氯離子主要分布在⒏/SK、界面附近100A左右處。這些氯離子較多地填補了界面附近的氧空位,形成⒏―Cl負電中心,因此降低了固定正電荷密度和界面態密度(可使同定正電荷密度降低約一個數量級)。