經過兩步擴散之后的雜質最終分布形式
發布時間:2017/5/13 18:38:46 訪問次數:1109
經過兩步擴散之后的雜質最終分布形式,將由具體工藝條件決定,為兩個擴散過程結果的累加。 MAX5900ACEUT+T如果用下標“1Ⅱ表示與預擴散有關的參數,“2”表示與主擴散有關的參數。當D]rl》D2∠2時,在這種情況下,預擴散起決定作用,雜質基本上按余誤差函數形式分布;當D1r1《D2r2時,此種情況下主擴散起決定作用,雜質基本上按高斯函數形式分布。
實際的擴散情況比較復雜,在恒定表面源擴散中假定硅表面雜質濃度一直為擴散溫度下的固溶度,實質上這是難以實現的。而限定表面源擴散硅表面的雜質總量也由于外擴散現象會有所減少。因此。實際擴散不一定嚴格遵從某種形式的擴散,而是往往較接近于某種分布,可在足夠精確的程度上采用某一種分布來近似分析。
對于確定的摻雜雜質,對擴散結深影響最大的因素是擴散溫度和擴散時間,特別是擴散溫度,靈敏地影響雜質的擴散系數。因此,在擴散過程中爐溫的控制非常重要,通常要求爐溫的偏差不大于土0、5℃。特別指出,本節所討論的雜質擴散的典型分布僅適用于較低雜質濃度情況,對于高濃度的雜質擴散分布情況更為復雜,此處不再詳細討論。
經過兩步擴散之后的雜質最終分布形式,將由具體工藝條件決定,為兩個擴散過程結果的累加。 MAX5900ACEUT+T如果用下標“1Ⅱ表示與預擴散有關的參數,“2”表示與主擴散有關的參數。當D]rl》D2∠2時,在這種情況下,預擴散起決定作用,雜質基本上按余誤差函數形式分布;當D1r1《D2r2時,此種情況下主擴散起決定作用,雜質基本上按高斯函數形式分布。
實際的擴散情況比較復雜,在恒定表面源擴散中假定硅表面雜質濃度一直為擴散溫度下的固溶度,實質上這是難以實現的。而限定表面源擴散硅表面的雜質總量也由于外擴散現象會有所減少。因此。實際擴散不一定嚴格遵從某種形式的擴散,而是往往較接近于某種分布,可在足夠精確的程度上采用某一種分布來近似分析。
對于確定的摻雜雜質,對擴散結深影響最大的因素是擴散溫度和擴散時間,特別是擴散溫度,靈敏地影響雜質的擴散系數。因此,在擴散過程中爐溫的控制非常重要,通常要求爐溫的偏差不大于土0、5℃。特別指出,本節所討論的雜質擴散的典型分布僅適用于較低雜質濃度情況,對于高濃度的雜質擴散分布情況更為復雜,此處不再詳細討論。
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