前面所討論的都是指雜質垂直于半導體表面進行擴散的一維情況,但是對實際中最常采用的掩蔽擴散而言,顯然只有擴散窗口中部區域才可近似為一維擴散, R1131N301D-TR-F對靠近窗口邊緣的區域除了垂直于表面的擴散作用外,還有平行于表面的橫向擴散作用。

   擴散往往是在硅片表面的特定區域進行的,而不是在整個硅片表面進行,這種擴散稱為掩蔽擴散。通常在擴散工藝之前,先在硅片表面生長一定厚度、質量較好的二氧化硅層,然后用光刻或者其他方法去掉需要摻雜區域的二氧化硅以形成擴散掩蔽窗口。而需要擴散的雜質通過窗口以垂直硅表面進行擴散,但也將在窗口邊緣附近的硅內進行平行表面的橫向擴散。

    橫向擴散和縱向擴散同時進行,但兩者的擴散條件并不完全相同。如果考慮橫向擴散,想要求出實際雜質分布情況,就需要解二維或三維的擴散方程。如果只考慮橫向擴散,并假定擴散系數與雜質濃度無關,也就是低濃度擴散情況下,橫向擴散與縱向擴散都近似以同樣方式進行,如果襯底中雜質濃度是均勻的,對于恒定源擴散和限定源擴散兩種情況下,氧化物窗口邊緣擴散雜質等濃度曲線如圖513所示,圖中各條曲線是以硅內雜質濃度與表面濃度的比值為變量的。