這項I藝是用準分子激光(308nm)器產生高能量密度(0,5~2.0J/cm2)的短脈沖(20~100ns)激光,照射處于氣態源(如PF5或B虱)中的硅表面,PA806C03硅表面因吸收能量而變為液體層,同時摻雜源由于熱解或光解作用產生雜質原子,通過液相擴散,雜質原子進人這個很薄的液體層。溶解在液體層中 的雜質其擴散速率比在固體中高8個數量級以上,因而雜質快速并均勻地擴散到整個熔化層中。當激光照射停止后,這個已經摻有雜質的液體層通過固相外延轉變為固態結晶體,由液體變為固態結晶體的速度非常快(大于3Ws)。

   在結晶的同時,雜質也進入激活的晶格位置,不需要進一步退火過程,而且摻雜只發生在表面的一薄層內。由于硅表面受高能激光照射的時間很短,而且能量又幾乎都被表面吸收,硅體內仍處于低溫狀態,不會發生擴散現象,也就是說,體內的雜質分布沒有受到任何擾動。硅表面熔化層的深度由激光束的能量和脈沖時間所決定。因此,可根據需要控制激光能量密度和脈沖時間以達到控制摻雜深度的目的。在液體中雜質擴散速率非常快,雜質的分布也就非常均勻,因此,可以形成陡峭的雜質分布形式,如圖⒌2迮所示是氣體浸沒激光摻雜的超淺深度雜質分布形式。因此,采用這種方法可以得到別的方法不可能得到的突變型雜質分布、超淺深度和極低的串聯電阻。CJILD技術對工藝做出了極大的簡化,近年來,該技術成功應用于ˇ⑩S和雙極型器件的制造中。

   在GILD基礎上,一個更有發展前景的技術是投射式GILD(Pr臼ect Gas Immcrson LaserDomng,Rc.I1冫D)工藝,把用準分子激光器產生的激光束,通過介質掩膜版聚焦之后投射到硅片上。在掩膜的整個視場都被曝光之后(曝光區域的硅被激光熔化),硅片被步進,然后重復曝光。結深隨著脈沖能量增加而加深,摻雜只發生在被激光熔化的區域中,從而實現選擇摻雜。在一個工序中相繼完成摻雜、退火和形成圖形,RGILD技術對工藝做出了極大的簡化。