實際的注人離子濃度分布非常復雜,并不嚴PH865C12格地服從高斯分布。其中一個重要的影響因素是粒子背散射。將一束高能離子人射到靶片上,人射離子中的一小部分足夠靠近靶核(小于104A或1o5A),由于庫侖排斥作用,與靶核發生大角度的彈性散射,使散射離子從樣品表面反射回來,這樣的粒子稱為背散射粒子。背散射粒子的能量與靶原子的質量和位置有關,它將使注人離子的分布偏離理想的高斯分布。

    當輕離子注入到較重原子的靶中,如硼離子注入硅靶中,硼離子硅原子碰撞時,由于質量比硅原子小,就會有較多的硼離子受到大角度的散射使反向散射的硼離子數量增多,因而就會引起在峰值位置與表面一側有較多的離子堆積,不服從嚴格的高斯分布,如圖616所示為不同能量的硼注人硅中的原子濃度分布測試值與高斯分布、四差動分布曲線。