注氧隔離(sIMOX)技術
發布時間:2017/5/17 21:40:28 訪問次數:2970
soi片的制作,可采用向⒏中離子注入O+工藝,通過退火獲得⒏02層,這種工藝稱為⒏MC)X(Scparau∞”Imphnted Oxygen)技術,是迄今為止最成熟的制備技術之一。RLT8150L-LF它主要包括兩個工藝步驟:①氧離子注人,用以在硅表層下產生一個高濃度的注氧層;②高溫退火,使注人的氧與硅反應形成絕緣層。這種方法的主要限制是需要昂貴的大束流注氧專用機,另一個問題是為了消除氧注人損傷,實現表面硅層固相再結晶,形成良好的界面,必須用專用退火爐進行高溫長時間退火,因而材料成本較高。⒏MOX技術制成的材料厚度均勻,尤其適于制作超薄型&)I。如圖635所示是注氧隔離技術的工藝流程。
soi片的制作,可采用向⒏中離子注入O+工藝,通過退火獲得⒏02層,這種工藝稱為⒏MC)X(Scparau∞”Imphnted Oxygen)技術,是迄今為止最成熟的制備技術之一。RLT8150L-LF它主要包括兩個工藝步驟:①氧離子注人,用以在硅表層下產生一個高濃度的注氧層;②高溫退火,使注人的氧與硅反應形成絕緣層。這種方法的主要限制是需要昂貴的大束流注氧專用機,另一個問題是為了消除氧注人損傷,實現表面硅層固相再結晶,形成良好的界面,必須用專用退火爐進行高溫長時間退火,因而材料成本較高。⒏MOX技術制成的材料厚度均勻,尤其適于制作超薄型&)I。如圖635所示是注氧隔離技術的工藝流程。
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相關技術資料- 5-17注氧隔離(sIMOX)技術
- 相關IC型號
- RLT8150L-LF
- 暫無最新型號
公網安備44030402000607
