投射式氣體浸入激光摻雜(P―GILD)是一種變革性的摻雜技術,它可以得到其他方法難以獲得的突變摻雜分布、超淺結深度和相當低的串聯電阻。 RT8208BGQW通過在一個系統中相繼完成摻雜、退火和形成圖形,PGILD技術對工藝有著極大的簡化,這大大地降低了系統的I藝設備成本。近年來,該技術已成功地用于CMOs器件和雙極型器件的制備中。RGII'D技術有著許多不同的結構形式和布局,但原理基本一致,它們都有兩個激光發生器、均勻退火和掃描光學系統、介質刻線區、摻雜氣體室和分布步進光刻機。晶片被浸在摻雜的氣體環境中(如BF3、AsF5),第一個激光發生器用來將雜質淀積 在硅片上,第二個激光發生器通過熔化硅的淺表面層將雜質推進到晶片中,而摻雜的圖形則由第二個激光束掃描介質刻線區來獲得。在這一工藝技術中,熔融硅層再生長的同時完成雜質激活,不需要附加退火過程。

   P-GILD技術的主要優勢:由于PGILD技術無須附加退火過程,整個熱處理過程僅在納秒數量級內完成,故該技術避免了常規離子注人的相關問題,如溝道效應、光刻膠、超淺結與一定激活程度之間的矛盾等。

    P-GILD要缺點是集成工藝復雜,技術尚不成熟,目前還未成功地應用于℃芯片的加工中。