CDV是制備薄膜的一種常規方法,當前,在微電子I藝中已經采用和發展了多種C、⑩工藝技術。實際上CVD工藝與第3章外延工藝中介紹的氣相外延工藝相似,OMAPL137BZKBA3有些具體方法及I藝設各可以通用。外延生長獲得的是單晶薄膜,通常襯底也必須是單晶材料.要求有嚴格的工藝條件;而淀積薄膜得到的是非晶態或者多晶態薄膜,襯底不要求一定是單晶材料,只要襯底具有一定的平整度,能夠經受淀積工藝溫度(淀積工藝溫度遠低于外延工藝溫度),其他工藝條件的控制也沒有氣相外延要求的那么精確。另外,o冫0I藝制備的薄膜和熱氧化工藝制備的二氧化硅薄膜也有很大不同。通過CDV藝制各薄膜時,所有的薄膜成分都是由外部以氣相方式帶人反應器中,而不像熱氧化工藝制備的二氧化硅薄膜中的硅成分來自襯底本身。

    CDV的多種工藝方法可以按照工藝特點、工藝溫度、反應室內部壓力、反應室器壁的溫度和淀積薄膜化學反應的激活方式等進行分類。通常是按照工藝特點進行分類,主要有常壓化學氣相淀積(APCⅥ⑵、低壓化學氣相淀積(LPC、0)、等離子增強化學氣相淀積(PEC、⑩)、金屬有機物化學氣相淀積(MOCˇ0)、激光誘導化學氣相淀積CDV和微波化學氣相淀積(WlWCVD)等。APCˇD的設各與前面提到的常壓外延的設各相似,工藝方法接近,在介質薄膜制各中采用的不多。介質薄膜和多晶硅薄膜多采用常規的LPC、0和PECVD方法制各。而MOCVD、LC、0、NlWC、0在傳統的微電子工藝中應用不多,都是近年被采用并發展起來的C`0工藝技術。