如圖⒎21所示是中科院沈陽科儀中心制造的PECVD設備。主要是由進出片室系統、淀積室、氣K4B1G0846F-HCK0路控制系統、電控系統、計算機控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成的。該設各是將幾個積室組合,用于不同類型薄膜的淀積。淀積室的極限真空度可達6.7×105Pa,射頻功率的頻率是常規的13.56MHz,最高控溫溫度是400℃。

   圖⒎21 中科院沈陽科儀中心制造的PECVD設備

   PECVD主要工藝過程為:將準備好的襯底硅片放在基座上(如圖719所示的下電極上),關閉淀積室,開啟真空泵對淀積室抽真空,同時通冷卻循環水,基座升溫;當真空度和基座溫度達到要求時,將反應氣體通人淀積室,調整各種氣體的進氣流量和工作壓力至適當,打開射頻功率發生器并調整輸出功率,氣體輝光放電,薄膜淀積開始。

   淀積室氣體非平衡輝光放電過程中產生的高能電子,在射頻電場作用下,在上、下極板之間振蕩,碰撞激活氣體分子產生中性原子基團或電離物質。以硅烷為例,有如下的化學反應方程式。