例如,nMOs電路的互連系統是采用Pts←T←Pt-Au多層金屬系統。該系統工藝為: PMBD914

   ①濺射Pt,然后700℃熱處理形成P♂歐姆接觸層;

   ②濺射Ti,作為黏附層,把s與上面的Pt黏結起來;

   ③濺射Pt,作為過渡層,防止Tl與Au形成高阻物;

    ④真空蒸鍍Au,作為導電層實現各元件的互連,且利于鍵合外電極。

   多層金屬系統工藝復雜,實際使用時應盡量減少層數。多數場合用二層或三層就能起到與上面四層相同的作用,如T卜Au系統、CNAg系統、Al Pt-Au系統等。

    化合物薄膜

     Pvd也用于制備化合物薄膜,如介質薄膜、難熔金屬硅化物薄膜。早期的芯片制作中,最外層的二氧化硅薄膜作為鈍化膜和保護膜,采用電子束蒸鍍方法來制各。這主要是由于PVD工藝襯底溫度較低,甚至可以在室溫下進行淀積。以真空蒸鍍工藝制備這類鈍化膜、保護膜,最關注的問題是所淀積化合物成分與源成分可能有較大差異。還有必須要考慮在蒸發溫度下化合物不能發生分解。當前,磁控濺射也廣泛用于制備這類能起到鈍化作用和保護作用的化合物薄膜,如采用磁控濺射△藝制各氧化物或氮化物薄膜,而高純度靶材的獲取是濺射工藝中最受關注的問題。

   在制備內電極或互連系統時起隔離作用和(或)勢壘作用的難熔金屬硅化物薄膜通常也是采用濺射工藝來制各的。

   濺射工藝具有的開放式多技術融合,以及方法簡單適應性強的特點,使得其被用于制各其他方法難以淀積的所有薄膜。