光刻是微電子工藝中最重要的單項工藝之一。用光刻圖形來確定分立器件和集成電路中的各個區域,如注人區、接觸窗口和壓焊區等。 PMBT2907A由光刻工藝確定的光刻膠圖形并不是最后器件的構成部分,僅是圖形的印模,為F制備出實際器件的結構圖形,還必須再一次把光刻膠圖形轉移到光刻膠下面組成器件的材料層上。也就是使用能夠對非掩蔽部分進行選擇性去除的刻蝕工藝來實現圖形的轉移。在襯底硅片的加工過程中,三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件依次在硅片表面或表層內構成。這些部件是每次在一個掩膜層上生成的,并且結合生成薄膜及去除特定部分,通過光刻工藝過程,最終在襯底上保留特征圖形的部分。光刻I藝的目標是根據電路設計的要求,生成尺寸精確的特征圖形,并且在襯底表面的位置正確且與其他部件的關聯正確。

   光刻工藝貫穿半導體器件和集成電路制造工藝的始終,如制作分立器件3DK4,有四次光刻;大規模集成電路的制作一般每個晶片要經過10次以上的光刻;而當代的超大規模集成電路的制作則需要幾十次乃至上百次的光刻才能完成。在集成電路中,光刻的最小線條尺寸是其發展水平的標志。當前國內集成電路芯片制造的最高△藝水平是中芯國際的28nmェ藝線,國際上已達到14nm。如表91所示為預期的幾代r對光刻技術的要求。

   光刻系統的主要指標包括分辨率R(rcsoltttlO11)、焦深(Depth of Focus,DC,F)、對比度(Cf,N)、特征線寬(Chtlcd Dnlen“ol△,∞)控制、對準和套刻精度(赳1鯽nt al△dlhˉt・day)、產率(Thr。ughout)及價格。