建一座200mm的硅片工廠需投資10~15億美元,建一座30o mm的硅片工廠需投資20~30億美元,其中設各投資占60%~80%。單臺光刻設備的銷售價格也是越來越高。M93C66-MN6T如⒛01年248nmKrF⒏epper每臺約700萬美元,193nm ArF⒏eppcr每臺約1200萬美元。目前一臺用于45nm工藝的193nm ArF浸沒式光刻機售價達到2000~3000萬美元,而EUV光刻機價格更是高得驚人,預計售價將達到3000~5500萬美元,高端EUV光刻機T誡Ⅱcan NXE:3300B售價達到1.05億美元。

   設備研制聯合化

   光刻設備加工硅片大尺寸化和加工單片化、高精度化和全自動化需要投人大量的資金和科技人員,往往靠一個公司的力量是不夠的,需要走合作、聯合之路,共享成果。如極端遠紫外光刻機的開發

費用高達10億美元,在ASMI'兼并SVGL之前,兩個公司就實現強強聯手,共同開發EUV光刻機。

   又如,由日本政府出面,有多家研究所、大學和半導體設各制造商參加的4項納米半導體中長期計劃(2001―⒛07年),其開發重點包括№C設備的相關技術、50~70nm工藝設備的相關技術和迷你型生產線技術等。

   本章首先論述光刻掩模板的制造,包括制版工藝簡介、掩模板的基本構造及質量要求、鉻版的制備技術、彩色版制備技術和光刻制版面臨的挑戰;其次介紹了光膠,包括光刻膠的特征量、光學光刻 膠和其他光刻膠;繼而介紹光學分辨率增強技術,包括移相掩膜技術、離軸照明技術、光學鄰近效應校正技術和光瞳濾波技術;以紫外光曝光技術為例介紹了基本的曝光方式,包括接近式曝光、接觸式曝光和投影式曝光;對其他曝光技術也做了簡要介紹,包括電子束曝光、X射線曝光和離子束曝光,并對新技術進行了展望;最后介紹了光刻設備,包括接觸式光刻機、接近式光刻機、掃描投影光刻機、分步重復投影光刻機和步進掃描投影光刻機,并對光刻設備的發展趨勢進行了展望。