在MOSFET器件的制備中,需要嚴格地控制柵極的寬度,因為它決定了MOSFET器件的溝道長度,進而與器件的特性息息相關。刻蝕多晶硅時,OPA2188AID必須準確地將掩膜上的尺寸轉移到多晶硅上。除此之外,刻蝕后的輪廓也很重要,如多晶硅刻蝕后柵極側壁有傾斜時,將會屏蔽后續工藝中源極和漏極的離子注人,造成雜質分布不均,溝道的長度會隨柵極傾斜的程度而改變。另外,⒊對s02的刻蝕選擇比也要足夠高,這是囚為:①為了去除階梯殘留,必須有足夠的過度刻蝕才能避免多晶硅電極間短路的發生;②多晶硅一般覆蓋在很薄(刂、于9O nm)的柵極氧化層上,如果氧化層被完全刻蝕,則氧化層下的源極和漏極區域的⒏將被快速地刻蝕。若⒊/Si()2刻蝕選擇比太小將對器件造成嚴重的影響,所以利用CF4、SF6等F原子為主的等離子體刻蝕多晶硅就不太合適了。此外,這類氣體也有負載效應(Loa山llg Effect),即被刻蝕材料裸露在等離子體中面積較大的區域時刻蝕速率比在面積較小的區域時慢,也就是出現局部刻蝕速率的不均勻。改用C炻的刻蝕速率則比F原子慢很多,C炻和多晶硅的反應方程式為 此保護膜可以保護多晶硅的側壁,造成各向異性刻蝕。為兼顧刻蝕速率和選擇比,有人使用SF6氣體中添加CC嫵和CHC辶,SF6的比例越高刻蝕速率越快;而CC虹或CHds的比例越高,對于sO2的刻蝕選擇比越高,刻蝕越趨于各向異性。

    除了Cl和F的氣體之外,溴化氫(H【Jr)也是現在常用的氣體之一,因為在小于0.5um制程中,柵極氧化層的厚度小于10nm,而以Hh刻蝕的多晶硅對sK)2的選擇比高于以Cl為主的等離子體。