在鋁中加人少量的銅或硅,是半導體工藝中常見的鋁合金材料,因此硅、銅的去OPA2674I-14DR除也成為鋁刻蝕時所須考慮的因素。如果兩者未能去除,所遺留下來的硅或銅顆粒將會阻礙下方鋁材料刻蝕的進行,而形成柱狀的殘留物,即所謂微掩膜現象(Micromasking)。對于硅的刻蝕,可直接于氯化物氣體等離子體中完成,而sCh的揮發性很好,因此鋁合金中硅的去除應沒有什么問題。然而銅的去除就比較困難了,因為Cuc12的蒸氣壓很低揮發性不佳,所以銅的去除無法以化學反應方式達成,必須以高能量的離子撞擊來將銅原子去除。另外,提高溫度也可以幫助Cuc炻揮發。

   由于硅可用含氯等離子體刻蝕,Al Si合金(Si含量達到百分之幾)也可在含氯的氣體中刻蝕,形成揮發性的氯化物。然而,對A⒈Cu合金(一般Cu含量(4%)的刻蝕,由于銅不容易形成揮發性鹵化

   物,故刻蝕之后有含銅的殘余物留在硅片上,這就給刻蝕帶來困難。當然,如果用高能離子轟擊,可以去除這類物質,或者用濕法化學處理清除。A卜S⒈Cu合金膜的反應離子刻蝕可提供各向異性刻蝕剖面,在低壓CC11￡炻等離子體中,反應生成揮發性的鋁和硅的氯化物,不揮發的銅的氯化物用濺射法去除,濺射也能部分地去除金屬表面的自然氧化層。

    鋁合金在被鹵化物等離子體刻蝕后,殘留物(主要是AlC13和AlBr3)仍遺留在合金表面、側壁及光刻膠上。一旦襯底離開真空腔體后,這些成分將會和空氣中的水汽反應形成HCl和HBl,Hα又腐蝕鋁合金,生成AlC13。如果提供的水汽足夠,反應將持續進行鋁合金將不斷地被腐蝕。在含銅的鋁合金中這種現象將更為嚴重,這是由于金屬表面的含銅沉積物形成氯化銅所引起的。應當在刻蝕之后立即清除或中和硅片表面的殘留物。比較好的方法是在刻蝕之后,移出腔體之前,以碳氟化合物(如C凡、CH凡等)等離子體做表面處理,將殘留氯化物轉變為無反應的氟化物,在鋁合金表面形成一層聚合物,阻止鋁合金與氯的進一步反應。必須把硅片暴露于濕氣中的時間降到最少,這是在金屬刻蝕機中集成一個去膠腔體的原因。