有研究表明,刻蝕硅時,當TMAH濃度在5%時,刻蝕表面有大量小丘出現,隨著濃度的不斷增加,ICM7555CD小丘的密度逐步降低,當濃度超過22%時,可以得到光滑的刻蝕表面。

   TMAH對硅的刻蝕速率隨著溫度的升高而增加,在溫度低于glD℃時,刻蝕速率不超過11幾m/而n。同時,刻蝕速率隨著TMAH的濃度增加而降低。在溫度為9()℃、濃度為5%時,TMAH刻蝕硅(100)的速率接近1,5um/min,當濃度增加到22%,刻蝕速率降低1.0um/min,在濃度為40%時,刻蝕速率降低至不到0.5um/min。因此,要獲得光滑的刻蝕表面,要求的濃度增加與刻蝕速率隨濃度降低形成一對矛盾。

   但是,在TMAH中添加硅酸(H2sα)、過硫酸銨E(NH.)2s20s彐或異丙醇(IPA),通過添加劑的強氧化作用,促使小丘不能形成,可以獲得光滑的刻蝕表面。經過TMΛH+硅酸+過硫酸銨混合液刻蝕硅(100)125min后,可以獲得光滑的刻蝕表面。