除了要求低電阻率之外,還應抗電遷移能力強,理化穩定性能、機械性能和電學性能在經過后續工藝及長時間工作之后保持不變,最好薄膜淀積和圖形轉移等加工工藝簡單、且經濟,制備的互連線臺階覆蓋特性好、PAM2301CAABADJ缺陷濃度低、薄膜應力小。

    實際上沒有完全滿足上述要求的金屬或金屬性材料,早期的ULSI是采用鋁及鋁合金作為導電材料。近年來隨著工藝技術的發展,銅已成為金屬導電材料的首選,在集成度更高的ULSI中有取代鋁及鋁合金的趨勢。

   銅的優點包括:電阻率低,只有鋁的40%~45%;抗電遷移性,好于鋁膜約兩個數量級。缺點有:銅在硅中是快擴散雜質,能使硅"中毒",銅進人硅內,改變器件性能;與硅、二氧化硅粘附性差。在工藝方面,在硅一銅之間增加黏附性強,且可阻止Cu向⒏中擴散的隔離膜。銅膜制各是先濺射銅種子層,再用化學鍍、電鍍制備銅膜。