銅多層互連系統是在集成電路技術進入0,18um時出現并發展起來的互連技術,目前已成為UI'SI最主要的互連系統。在以銅為互連導電層的鑲嵌工藝,PAM2305AABADJ叉稱為雙大馬士革(Dud Damascel△e)I藝。為鑲嵌式銅多層互連系統的其中某一層的工藝流程。

   鑲嵌式銅多層互連工藝為:

   ①在前層的互連層平面上淀積刻蝕停止層,如PECVlD一弘N1;

   ②淀積厚的絕緣介質層,如APCVD sO2或低Κ介質材料;

   ③光刻引線孔;

   ④以光刻膠作為掩膜刻蝕引線溝槽并去膠,如干法刻蝕⒏02再去膠;

   ⑤光刻通孔;

   ⑥以光刻膠作為掩膜刻蝕通孔并去膠,如干法刻蝕sO2再去J皎;

   ⑦去刻蝕停止層,采用高選擇比的刻蝕方法,通孔刻蝕過程將在停止層自動停止;