為了減少雙極型晶體管收集區的串聯電阻,并減小寄生pnp管的影響,在作為雙極型晶體管的收集區的外延層和襯底間通常需要制作rl-埋層。 P0804BD首先在襯底上熱氧化生長二氧化硅,光刻,RIE刻蝕氧化層露出埋層區域,然后注人n型雜質(磷、砷等),隨后退火激活雜質,埋層雜質的選擇原則是:苜先是雜質在硅中的固溶度要大,以降低收集區串聯電阻;其次是希望在高溫下,雜質在硅中的擴散系數小,以減小外延時的雜質擴散效應;此外還希望與硅襯底的晶格匹配好,以減小應力。研究表明,最理想的埋層雜質是As。

   外延層的生長

   用HF濕法腐蝕去除全部二氧化硅層后,外延生長一層輕摻雜的硅。該外延層將作為雙極型晶體管的收集區,整個雙極型晶體管便是制作在該外延層上的。生長外延層時需要考慮的主要參數是外延層的電阻率ρ。和外延層的厚度民。為了 減小結電容、提高擊穿電壓BⅥ⒛、并降低后續熱過程中外延層中雜質的外推,pl應該高一些,而為了降低收集區串聯電阻又希望ρ。低一些。因此。c。需要加以折中選擇。一般外延層的厚度需要滿足以下要求:外延層厚度基區摻雜的結深+收集區厚度+埋層上推距離+后續各工序中生長氧化層所消耗的外延層厚度。