再生長一層二氧化硅,隨后進行第二次光刻,刻出隔離區,并刻蝕掉隔離區的氧化層。隨后預P0804BK淀積硼,并退火使雜質推進到所需的深度,形成p型隔離區。這樣便在硅襯底上形成了許多由反偏pn結隔離開的孤立的外延島,從而實現了器件間的電絕緣。

   混合隔離

   混合隔離是島側壁為介質形隔離,底部為pn結隔離的工藝方法,也稱為氧化物隔離或局部氧化隔離。當前主要采用V形槽隔離和平面隔離兩種結構,如圖1221所示是兩種混合隔離結構示意圖。主要工藝流程為:采用p型(1oo)晶面硅襯底,擴散n+埋層,再外延生長1~2um的⒈Si(或少Si)薄層;氧化、光刻出隔離槽窗口;聯氨水溶液各向異性腐蝕隔離槽,并穿透外延層使之實現島側壁隔離,V形槽的側壁與表面的夾角為54,7°,得如圖1221(a)所示的V形槽隔離結構,該結構表面不平坦,對后期的金屬化工藝帶來問題;如在此基礎上刻蝕去除介質層,再熱氧化生長厚二氧化硅層(或I'PC、①多晶硅回填),最后用CMP平坦化,得如圖12~91(b)所示的平面隔離結構。

   混合隔離極大地減少了元件面積和發射極一襯底間的寄生電容,顯著地提高了雙極型集成電路的集成度和速度。混合隔離還能增大雙極型晶體管收集極之間的擊穿電壓。但是混合隔離的缺點是工藝復雜、成本較高。