對CMOS電路,由于它結構上的二元性,實際證明功能測試與JrrⅪ測試相結合,VEJ331M1V1010-TR0比其他基于失效模型的測試圖形更有效。分析CMOS電路的開路/短路錯誤可以知道:①對于任何的開路失效,需要兩個測試向量,前一個在輸出端產生一個邏輯0(1),后一個檢驗其是否能翻轉;②對于任意短路錯誤,總有一些測試向量會產生一個由電源yn)至刂地的通路,這可以通過監視電源靜態電流幾))發現,也就是△lEQ測試。圖14-16所示為一個p管短路的CM(B反相器及其電流、電壓波形。

   圖14-16 一個p管短路的CMOS反相器及其電流、電壓波形

   CMOS電路電流監測的理論最早是由Le訪在1981年提出的。比較圖1416(b)中電路在正常情況下與出現短路失效時的電流變化,可以發現兩者只有在過渡狀態完成后有明顯的區別。