(1)硼擴散為什么采用兩步擴散工藝,且以預淀積溫度低、再分布溫度高的方式進行?

    (2)當漂硼硅玻璃至硅片背面不掛水時,基區光刻窗FFP30S60STU口是何種狀態?

   (3)為什么要漂硼硅玻璃?

    (4)基區的硼摻雜,可否用離子注人實現?若可以,設計工藝方法及模擬工藝條件。

   (5)再分布過程中如何針對預淀積方塊電阻偏高或偏低來調節硅片表面硼的濃度?為什么?

   (6)硼擴散參數指標不合格,會給磷擴散帶來哪些麻煩?

   (7)硼擴散方塊電阻偏大或偏小,結深偏深或偏淺,會對晶體管產生什么樣的影響? A,7 pn結結深測量

   pll結的結深是微電子器件的重要工藝參數之一,結深的測量是對器件工藝質量的一種必要檢測,測量方法主要有:磨角染色法、擴展電阻法、掃描電鏡法、陽極氧化剝層法等。磨角染色法是一種適合測量較深pn結的測量方法。以此方法對硼擴散結進行測量。